Esta nueva memoria promete resolver uno de los mayores problemas creados por la IA

La industria de los semiconductores atraviesa una de las peores crisis desde la pandemia. La explosión de la IA ha disparado la demanda de memoria a niveles nunca antes vistos, lo cual generó una escasez y aumento de precios que han golpeado a todos los segmentos, incluidos los móviles. Este escenario podría cambiar gracias a la Z2RAM, una nueva tecnología impulsada por el antiguo jefe de Intel, Pat Gelsinger.

De acuerdo con un reporte de The Register, la propuesta de la Z2RAM intenta combinar las ventajas de las tres tecnologías que dominan el mercado: SRAM, DRAM y NAND.

La SRAM es extremadamente rápida y se utiliza en las memorias caché de los procesadores, pero ocupa mucho espacio y es costosa de escalar. Mientras tanto, la DRAM ofrece una mayor densidad y es la base de la memoria RAM convencional, aunque es más lenta. Por último, la NAND, que se usa en los SSD, se distingue por su capacidad y fabricación en múltiples capas verticales.

Nagare Labs, una startup respaldada por Geslinger, intenta reunir lo mejor de estos tres mundos. Según la compañía, Z2RAM podría ofrecer la velocidad de la SRAM, la densidad de la DRAM y la arquitectura de la NAND en un mismo paquete. Esta nueva memoria sería escalable y tendría un consumo energético mucho menor, convirtiéndose en una alternativa para las empresas de IA.

¿Qué es la Z2RAM, la nueva memoria que podría acabar con el RAMaggeddon?

Una de las claves de la Z2RAM está en su diseño. Mientras que la DRAM convencional usa un transistor y un condensador para almacenar cada bit de información, Z2RAM emplea dos transistores. Esto le permite usar la capacitancia de la compuerta del segundo para almacenar la carga eléctrica, eliminando la necesidad de un condensador independiente. Además, los datos no necesitan reescribirse tras cada acceso, que es una de las limitaciones de la DRAM.

Según sus desarrolladores, la Z2RAM ha sido concebida para apilarse verticalmente como las NAND y otras tecnologías de encapsulado 3D. La memoria se vale de semiconductores de óxido y técnicas de unión híbrida tridimensional, lo que le permitiría alcanzar más de cinco veces la densidad de bits de una memoria SRAM manteniendo un ancho de banda parecido. Nagare Labs dice que un espacio capaz de albergar 64 MB de SRAM podría alojar 320 MB de Z2RAM.

La nueva memoria podría ayudar a combatir la demanda de memoria que exige la industria de la IA. Además de la potencia de cálculo, uno de los cuellos de botella de los aceleradores gráficos es la capacidad de mover y almacenar los datos con suficiente rapidez. Cuanta más memoria rápida se integre cerca de los procesadores, menos chips serán necesarios para ejecutar los modelos avanzados.

Las primeras memorias comerciales podrían lanzarse en 10 años

La Z2RAM no reemplazaría a la memoria convencional, pero si podría reducir la cantidad de aceleradores que se necesitan en los centros de datos. Esto disminuiría la presión sobre la cadena de suministro, traduciéndose en una mejor disponibilidad de componentes y una baja de precio en toda la industria.

Todo suena muy bien, excepto porque la Z2RAM se encuentra en una fase preliminar de desarrollo. Los ingenieros de Nagare Labs ya desarrollaron los primeros prototipos, pero la producción comercial podría tardar una década. La empresa tiene que resolver algunos problemas de fiabilidad y estandarización de interfaces, por lo que el camino es largo.

Aún así, la Z2RAM podría convertirse en una de las innovaciones más importantes del hardware moderno, siempre y cuando cumpla sus promesas.