Маск снова торопится: дорогущий EUV-сканер для Terafab могут поставить раньше, чем завод достроят

Опрос

реклама

Новости Hardware

Самое интересное в обзорах

14.10.2026 [19:00], 

Проект Илона Маска (Elon Musk) Terafab может получить первую установку для EUV-литографии уже в середине следующего года. Строительство корпуса предприятия завершится лишь в конце 2027 года, а монтаж оборудования начнётся ещё позже, так что сканер будет некоторое время простаивать.

Источник изображений: asml.com

Tesla дала старт полупроводниковому предприятию на территории северного кампуса завода Giga Texas близ Остина в апреле этого года. Возведение здания, как ожидается, займёт 15 месяцев, и ещё полгода уйдут на установку оборудования и производственных систем. Только после этого компания сможет приступить к обработке пластин — точнее, к экспериментальному производству чипов, чтобы подготовить сотрудников к завершению первого этапа строительства полноценного завода Terafab.

Учитывая, насколько сложно сегодня приобрести установку EUV-литографии ASML Twinscan NXE, хранение оборудования в течение нескольких месяцев до начала эксплуатации представляется дорогостоящим простоем, но только не для Terafab. Маск высоко оценивает перспективы лазеров на свободных электронах, однако поставка EUV-сканера ASML свидетельствует, что как минимум на начальных этапах на предприятии будет работать более традиционное оборудование. Это логично, учитывая, что Terafab намерена начать с техпроцесса Intel 14A — он совместим с существующим EUV-сканерами с низкой числовой апертурой Low-NA и установками нового поколения с высокой числовой апертурой High-NA.

Переход на нестандартные и во многом ещё не проверенные источники света потребовал бы существенной корректировки производственного процесса, масштабных испытаний оборудования перед допуском к производству и, возможно, изменения конструкции фотошаблонов и состава фоторезистов. Это усложнило бы перенос технологии Intel 14A и замедлило бы выход предприятия Terafab на проектную мощность. Но строить догадки о том, что и как будет выпускаться на заводе, ещё рано.

SpaceX объявила о выборе площадки для завода Terafab в техасском округе Граймс в августе 2026 года. По состоянию на середину сентября там рыли котлован под фундамент и монтировали арматурный каркас здания. Строительство первой очереди завода Terafab займёт, по оценкам аналитиков, 20 месяцев, оснащение его оборудованием — 17 месяцев, выход на проектную мощность — ещё 6 месяцев. То есть предприятие начнёт работу в конце 2029 года и выйдет на полную производственную мощность к середине 2030 года.

По неофициальным данным, SpaceX заказала оборудование для производства полупроводников ещё в апреле 2026 года за несколько месяцев до объявления о выборе площадки в округе Граймс, то есть твердо определилась с производственными планами задолго до публичного начала строительных работ. Учитывая традиционно длительные сроки поставки ASML, это делает правдоподобным прогноз об установке оборудования в середине 2028 года.

Intel намерена начать опытное производство по техпроцессу 14A (класс 1,4 нм) во второй половине 2027 года, массовое производство стартует во второй половине 2028 года; то есть компания будет опережать Terafab минимум на полтора года. Таким образом, Terafab будет отставать и от самого совершенного на тот момент техпроцесса: в конце 2029 года TSMC намерена перейти на техпроцесс A12 класса 1,2 нм с GAA-транзисторами с нанолистами и окружающим затвором. Но, учитывая, что завод Terafab станет выпускать оборудование исключительно для нужд Tesla и SpaceX, это едва ли станет серьёзной проблемой: рост затрат из-за более сложной технологии будет компенсирован за счёт использования собственных мощностей.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.